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    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY100PZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LV-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LV-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.23nC@10V

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:600
    DIOTEC Mosfet场效应管 MMFTN620KDW-AQ
    DIOTEC Mosfet场效应管 MMFTN620KDW-AQ

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMFTN620KDW-AQ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250μA

    输入电容:320pF@30V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D9LV-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D9LV-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D9LV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1.4V@100μA

    栅极电荷:1.23nC@10V

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.4Ω

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:32
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D9LV-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D9LV-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D9LV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1.4V@100μA

    栅极电荷:1.23nC@10V

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.4Ω

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LV-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LV-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.23nC@10V

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY100PZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY100PZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LV-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LV-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.23nC@10V

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:31
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