品牌:Microchip
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):JANTX2N6052
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:150W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:55℃~175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@120mA,12A
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@6A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:达林顿管
销售单位:个
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):20A
功率:175W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:-65℃~+175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1500@1A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:达林顿管
销售单位:个
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):20A
功率:175W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:-65℃~+175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1500@1A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):20A
功率:175W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:-65℃~+200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1250@10A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:达林顿管
销售单位:个
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):12A
功率:150W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:-55℃~+175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@120mA,12A
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@6A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:达林顿管
销售单位:个
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):8A
功率:75W
集电集截止电流(Icbo):500μA
工作温度:-55℃~+200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@80mA,8A
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@4A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:达林顿管
销售单位:个
功率:175W
集电集截止电流(Icbo):1mA
集电极电流(Ic):20A
集射极击穿电压(Vceo):100V
工作温度:-65℃~+175℃
晶体管类型:PNP
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A
直流增益(hFE@Ic,Vce):1500@1A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6301
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):8A
功率:75W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@80mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@4A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):JANTX2N6284
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):20A
功率:175W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:65℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1250@10A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):JANTX2N6058
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):12A
功率:150W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:55℃~175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@120mA,12A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@6A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6287
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):20A
功率:175W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:65℃~175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1500@1A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存: