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生产批次：{"21+"：10453，"22+"：6623，"23+"：2905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NZT7053
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：1.5A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：200nA
特征频率：200MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NZT7053
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：1.5A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：200nA
特征频率：200MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV47，215
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：250mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZT600
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP60，115
集射极击穿电压(Vceo)：45V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1.25W
集电集截止电流(Icbo)：50nA
特征频率：200MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW94C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP110G
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV27
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMSTA64-7-F
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDW93CFP
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：33W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD01N
集射极击穿电压(Vceo)：150V
集电极电流(Ic)：10A
功率：100W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZTA14TA
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：170MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.6V@1mA，1A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD127T4G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPSA29
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMST6427-7-F
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV47TA
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：330mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：170MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD678
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZTX601B
集射极击穿电压(Vceo)：160V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
工作温度：55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2STBN15D100
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：12A
功率：70W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@4mA，4A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA63-7-F
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：300mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMSTA63-7-F
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD678
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXTP05120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1.5W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：150MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@2mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCX705TA
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：160MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
