销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100mA，100μA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@2V，20mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10μA

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500mA，500μA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@10V，150mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10μA

特征频率：160MHz

工作温度：-55℃~+200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2A，2mA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@5V，1A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：10A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100μA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10μA

特征频率：160MHz

工作温度：-55℃~+200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2A，2mA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@5V，1A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.6V@1A，1mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@5V，1A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100mA，100μA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：10nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：5A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：500μA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@5A，20mA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，3A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：10A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100μA

特征频率：2MHz

工作温度：-65℃~+175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@10A，250mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@4.6V，5A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：330mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100mA，100μA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100mA，100μA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@10A，100mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，5A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100mA，100μA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10μA

特征频率：160MHz

工作温度：-55℃~+200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2A，2mA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@5V，1A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@10A，40mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，5A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：10μA

特征频率：120MHz

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@2A，5mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@5V，1A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@10A，100mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，5A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：10μA

特征频率：120MHz

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@2A，5mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@5V，1A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500μA

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10μA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@8A，80mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，4A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.6V@1A，1mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@5V，1A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500μA

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500μA

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：300mW

集电集截止电流(Icbo)：1μA

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500mA，500μA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.6V@1A，1mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@5V，1A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：300mW

集电集截止电流(Icbo)：1μA

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500mA，500μA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100μA，100mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20μA

特征频率：25MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100mA，100μA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1