销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1383KT146B

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：250MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400µA，200mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1834T100

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2143TL

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：1µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1383KT146B

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：250MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400µA，200mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1834T100

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1383KT146B

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：250MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400µA，200mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：90V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：10μA

特征频率：80MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1A，1mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2V，1A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1μA

特征频率：250MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400μA，200mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1μA

特征频率：200MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400μA，200mA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1μA

特征频率：250MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400μA，200mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1μA

特征频率：150MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500μA，500mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：200MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100mA，100μA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1μA

特征频率：250MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400μA，200mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1μA

特征频率：250MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400μA，200mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1μA

特征频率：150MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500μA，500mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1μA

特征频率：250MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400μA，200mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：1μA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1834T100

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：200MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100mA，100μA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：200MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100mA，100μA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1μA

特征频率：200MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400μA，200mA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1μA

特征频率：200MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400μA，200mA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：200MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100mA，100μA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：1μA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1μA

特征频率：250MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400μA，200mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1μA

特征频率：200MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400μA，200mA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1