采购热线 400-6619-010
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP127G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：5A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP122G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：5A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD127T4G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPSA29
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6387G
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：10A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP107G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PZTA64
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6388G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：10A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：1mA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC517-D74Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"08+"：872，"09+"：1001，"11+"：2373，"12+"：500，"14+"：2492，"18+"：200}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJE703G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@40mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PZTA64
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：110V
集电极电流(Ic)：1.5A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10nA
特征频率：150MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1A，1mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5V，1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122T4G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：8A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：5mA
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@8A，80mA
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPSA29
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA14LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"06+"：40，"07+"：114，"08+"：582，"10+"：350，"11+"：258，"12+"：224，"16+"：369，"22+"：39，"MI+"：250}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP126G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：5A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV26
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：1.75W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：4MHz
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJF6388G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：10A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
