品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT6427LT1G
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):500mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):1µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47,215
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:250mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-TP
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10nA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUB323ZT4G
集射极击穿电压(Vceo):350V
集电极电流(Ic):10A
功率:150W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:2MHz
工作温度:65℃~175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.7V@250mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):500@5A,4.6V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT6427LT1G
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):500mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):1µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HFFTA
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:120MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@5mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":2990,"20+":3000,"21+":2758416,"22+":88822}
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV27,215
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:250mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXTN04120HKTC
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1.5A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BD681G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47TC
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:330mW
特征频率:170MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47,235
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:250mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NJVMJD122T4G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:1.75W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:4MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47,235
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:250mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV27
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1.2A
功率:350mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT38CTA
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):300mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP121TU
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):5A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@20mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBTA28-7-F
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):500mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP52T1G
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:800mW
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NJVMJD122T4G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:1.75W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:4MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD112T4G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):20µA
特征频率:25MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@2A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FZT7053TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):1.5A
功率:1.25W
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:200MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD44E3T4G
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):10A
功率:1.75W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@20mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PZTA14
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1.2A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29-D26Z
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PZTA14
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1.2A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BST51,115
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):1A
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):50nA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.3V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV47,215
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:250mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: