品牌:博越
分类:Mosfet场效应管
生产批次:24+
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:百个
规格型号(MPN):AO3400
阈值电压:PDF
功率:PDF
RoHS:PDF
沟道类型:N沟道
应用级别:PDF
栅极电荷:PDF
ECCN:PDF
工作温度:PDF
漏源电压:PDF
导通电阻:PDF
输入电容:PDF
反向传输电容:PDF
封装规格:SOT-23
包装方式:圆盘卷带
类型:N沟道MOS管
生命周期:PDF
连续漏极电流:PDF
包装清单:商品主体*1
库存:
品牌:博越
分类:Mosfet场效应管
生产批次:24+
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:百个
规格型号(MPN):SI2305
阈值电压:PDF
类型:P沟道MOS管
功率:PDF
RoHS:PDF
应用级别:PDF
栅极电荷:PDF
ECCN:PDF
工作温度:PDF
漏源电压:PDF
导通电阻:PDF
输入电容:PDF
反向传输电容:PDF
封装规格:SOT-23
包装方式:圆盘卷带
生命周期:PDF
沟道类型:P沟道
连续漏极电流:PDF
包装清单:商品主体*1
库存:
品牌:博越
分类:Mosfet场效应管
生产批次:24+
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:百个
规格型号(MPN):SI2302S
阈值电压:PDF
功率:PDF
RoHS:PDF
沟道类型:N沟道
应用级别:PDF
栅极电荷:PDF
ECCN:PDF
工作温度:PDF
漏源电压:PDF
导通电阻:PDF
输入电容:PDF
反向传输电容:PDF
封装规格:SOT-23
包装方式:圆盘卷带
类型:N沟道MOS管
生命周期:PDF
连续漏极电流:PDF
包装清单:商品主体*1
库存:
品牌:冠兆
分类:射频晶体管
包装清单:主产品 x 1
库存:
品牌:刚沃
分类:射频晶体管
包装清单:主产品 x 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:150℃
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J352F,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2306CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瑞能
分类:晶闸管
行业应用:其它
销售单位:个
规格型号(MPN):BT136S-800DJ
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):10mA
浪涌电流(Itsm):25A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):4A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ACTT2S-800E,118
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):25mA
浪涌电流(Itsm):14A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):2A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF7320
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT130N10D3
阈值电压:4V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.6mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BT137B-800F,118
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):20mA
浪涌电流(Itsm):65A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):8A
门极触发电流(Igt):25mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3438_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.95nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BT150-500R,127
断态峰值电压(Vdrm):500V
通态峰值电压(Vtm):1.8V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):6mA
浪涌电流(Itsm):35A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):4A
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4832
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G29
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12.5nC@10V
输入电容:1.151nF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个P沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM650P03CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.56W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:810pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM9435CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):Z0103NN0,135
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):7mA
浪涌电流(Itsm):12.5A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):1A
门极触发电流(Igt):3mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BT136X-600E,127
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):15mA
浪涌电流(Itsm):25A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):4A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):Z0103MA,126
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):7mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):1A
门极触发电流(Igt):5mA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.2pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@50mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA201W-600E,115
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):12mA
浪涌电流(Itsm):12.5A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):1A
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA225B-800B,118
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):60mA
浪涌电流(Itsm):190A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):25A
门极触发电流(Igt):50mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瑞能
分类:晶闸管
行业应用:其它
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BT138-600,127
断态峰值电压(Vdrm):600V
保持电流(Ih):30mA
浪涌电流(Itsm):95A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):12A
门极触发电流(Igt):35mA
包装方式:管件
门极触发电压(Vgt):1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€30W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@15V
连续漏极电流:9.8A€35A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ACT108W-600E,135
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):25mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):800mA
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:卷带(TR)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存: