采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1200，"21+"：1650，"22+"：2489，"24+"：549}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：302750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUF4189NZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
