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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CH C5G 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CH C5G 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:249pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@90µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@90µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R1K5CEXKSA1 起订1053个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R1K5CEXKSA1 起订1053个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2500,"19+":37000,"22+":39000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R1K5CEXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU60R1K5CEAKMA2 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU60R1K5CEAKMA2 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU60R1K5CEAKMA2

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:49W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEAUMA1 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEAUMA1 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K5CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:49W

    阈值电压:3.5V@90µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@90µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU60R1K5CEBKMA1 起订1145个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU60R1K5CEBKMA1 起订1145个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":185500,"MI+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU60R1K5CEBKMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G120MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU60R1K4C6AKMA1 起订1191个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU60R1K4C6AKMA1 起订1191个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2370,"16+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU60R1K4C6AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28.4W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD080N06TL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD080N06TL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD080N06TL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G120MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G120MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G120MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G120MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G120MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G120MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G120MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC059N04LS6ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC059N04LS6ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC059N04LS6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€38W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:830pF@20V

    连续漏极电流:17A€49A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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