销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3T40P
工作温度:-50℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:139pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLI630GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.7A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI730GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK70ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004JNXC7G
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:7V@450µA
栅极电荷:10.5nC@15V
包装方式:管件
输入电容:260pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3T40P
工作温度:-50℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:139pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9634GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP17NK40ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLI630GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.7A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM80
工作温度:-65℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1630pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF15N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:375mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G170P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.805nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:207pF@15V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:02+
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF2N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.3Ω@750mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF7S65
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:434pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1600,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF2N80YDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.3Ω@750mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9634GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD15P6F6AG
工作温度:175℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM80
工作温度:-65℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1630pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NZGC11
工作温度:175℃
功率:35W
阈值电压:4V@900µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:管件
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA25N50E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM80
工作温度:-65℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1630pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":68790,"14+":189550}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF08N50ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1095pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA041N04NGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R8002ANX
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:散装
输入电容:210pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: