采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF5N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：891pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
阈值电压：4V@250μA
功率：35W
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
连续漏极电流：12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
阈值电压：4V@250μA
功率：35W
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
ECCN：EAR99
连续漏极电流：12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
阈值电压：4V@250μA
功率：35W
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
连续漏极电流：12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
