采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS010N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：14A€38A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：24050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO615NGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：150mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS010N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：14A€38A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS010N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：14A€38A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO615NGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：150mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO615NGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@20µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：150mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS010N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：14A€38A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19.1pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19.1pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19.1pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS010N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：14A€38A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
