品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:10+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB6670AL
工作温度:-65℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2440pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":110,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9629-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:157W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4360pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:10+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB6670AL
工作温度:-65℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2440pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":110,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9629-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:157W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4360pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:10+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB6670AL
工作温度:-65℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2440pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9629-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:157W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4360pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:10+
规格型号(MPN):FDB6670AL
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2440pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:33nC@5V
功率:68W
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
阈值电压:3V@250µA
工作温度:-65℃~175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:10+
规格型号(MPN):FDB6670AL
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2440pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:33nC@5V
功率:68W
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
阈值电压:3V@250µA
工作温度:-65℃~175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9629-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:157W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4360pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":110,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9629-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:157W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4360pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:10+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB6670AL
工作温度:-65℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2440pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:10+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB6670AL
工作温度:-65℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2440pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:10+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB6670AL
工作温度:-65℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2440pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: