采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：472}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
