品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RK7002AT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3T40P
工作温度:-50℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:139pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN120ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:670mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€20W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:327pF@25V
连续漏极电流:7.82A€20A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHK003N06T146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3481C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.7V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:70pF@15V
导通电阻:37mΩ@10V,4.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D125-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.7A€7.4A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN95R3K7P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@400V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@800mA,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3480C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:60pF@15V
导通电阻:16mΩ@10V,6.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3T40P
工作温度:-50℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:139pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3N40TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVC3S5A51PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:262pF@20V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR315PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:176pF@25V
连续漏极电流:620mA
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@620mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@20V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@2.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV88ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":23452,"16+":126}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP100,135
工作温度:-65℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:250pF@20V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2615(TE12L.F)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@10V
导通电阻:230mΩ@10V,1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3442
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.9V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN95R3K7P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@400V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@800mA,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU95R3K7P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V@40µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:196pF@400V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@800mA,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":32575,"14+":10500,"9999":1033}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU50R2K0CEBKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86113LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€29W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@50V
连续漏极电流:4.2A€5.5A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@4.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: