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    ROHM Mosfet场效应管 RK7002AT116 起订52个装
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002AT116 起订52个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RK7002AT116

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD3T40P

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:139pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K0PFD7SATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K0PFD7SATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K0PFD7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@400V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN120ENEAX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN120ENEAX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN120ENEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:670mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C680NLWFTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C680NLWFTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C680NLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€20W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:327pF@25V

    连续漏极电流:7.82A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RHK003N06T146 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RHK003N06T146 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RHK003N06T146

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3481C 起订43个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3481C 起订43个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3481C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.7V@250μA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:70pF@15V

    导通电阻:37mΩ@10V,4.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D125-60EX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D125-60EX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D125-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€15W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.7A€7.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R3K7P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订37个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订37个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3480C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:60pF@15V

    导通电阻:16mΩ@10V,6.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD3T40P

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:139pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3N40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H090LFDF4-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H090LFDF4-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:251pF@50V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:115V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVC3S5A51PLZT1G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVC3S5A51PLZT1G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVC3S5A51PLZT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2.6V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:262pF@20V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR315PH6327XTSA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR315PH6327XTSA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@160µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:176pF@25V

    连续漏极电流:620mA

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@620mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65ENEAR 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65ENEAR 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€6.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@20V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENEAR 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENEAR 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV88ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:615mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BSP100,135 起订1781个装
    NXP Mosfet场效应管 BSP100,135 起订1781个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":23452,"16+":126}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP100,135

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:250pF@20V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK2615(TE12L.F) 起订8个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK2615(TE12L.F) 起订8个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK2615(TE12L.F)

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:25pF@10V

    导通电阻:230mΩ@10V,1A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3442 起订23个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3442 起订23个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3442

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.9V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@50V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:630mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R3K7P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU95R3K7P7AKMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU95R3K7P7AKMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU95R3K7P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K0PFD7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@400V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL 起订11个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL 起订11个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R2K0CEBKMA1 起订2778个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R2K0CEBKMA1 起订2778个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":32575,"14+":10500,"9999":1033}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU50R2K0CEBKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:124pF@100V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@600mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86113LZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86113LZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86113LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€29W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@50V

    连续漏极电流:4.2A€5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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