采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H090LFDF4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：251pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，10V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
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栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
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阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT12H090LFDF4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：251pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，10V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT12H090LFDF4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：251pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，10V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
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输入电容：251pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，10V
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连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
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功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：7.82A€20A
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导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：6nC@10V
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输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：7.82A€20A
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功率：900mW
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输入电容：251pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，10V
漏源电压：115V
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输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
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功率：3W€20W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H090LFDF4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：251pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，10V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H090LFDF4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：251pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，10V
漏源电压：115V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
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功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H090LFDF4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：251pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，10V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H090LFDF4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：251pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，10V
漏源电压：115V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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