采购热线 400-661-9010
品牌：靳拓
分类：晶闸管
行业应用：其它
规格型号(MPN)：MTC400A小3支+散+风扇+脚码
包装清单： MTC400A小3支+散+风扇+脚码
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MT110C16T1-BP
断态峰值电压(Vdrm)：1.6kV
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：250mA
浪涌电流(Itsm)：2250A
工作温度：-40℃~130℃
门极触发电流(Igt)：150mA
包装方式：散装
门极触发电压(Vgt)：3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：14pF@15V
功率：225mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：500mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：50mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ACST410-8BTR
断态峰值电压(Vdrm)：800V
保持电流(Ih)：20mA
浪涌电流(Itsm)：30A
工作温度：-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms))：4A
门极触发电流(Igt)：10mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：8pF@15V
功率：300mW
栅源击穿电压：60V
栅源截止电压：1.5V@1nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：2.5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BTA312B-600CT，118
断态峰值电压(Vdrm)：600V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：35mA
浪涌电流(Itsm)：95A
工作温度：150℃
通态RMS电流(It(rms))：12A
门极触发电流(Igt)：35mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：VS-25TTS12STRL-M3
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
通态峰值电压(Vtm)：1.25V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：150mA
浪涌电流(Itsm)：350A
工作温度：-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms))：25A
门极触发电流(Igt)：45mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：270mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：Z0103MN，135
断态峰值电压(Vdrm)：600V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：7mA
浪涌电流(Itsm)：8A
工作温度：125℃
通态RMS电流(It(rms))：1A
门极触发电流(Igt)：3mA
包装方式：卷带（TR）
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SV6012N1TP
断态峰值电压(Vdrm)：600V
通态峰值电压(Vtm)：1.6V
保持电流(Ih)：22mA
浪涌电流(Itsm)：100A
工作温度：-40℃~150℃
通态RMS电流(It(rms))：12A
门极触发电流(Igt)：6mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CS45-16IO1
断态峰值电压(Vdrm)：1.6kV
通态峰值电压(Vtm)：1.64V
保持电流(Ih)：100mA
浪涌电流(Itsm)：520A
工作温度：-40℃~140℃
通态RMS电流(It(rms))：75A
门极触发电流(Igt)：100mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：100mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：125Ω
类型：P通道
ECCN：EAR99
输入电容：11pF@10V
功率：225mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：3V@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：7mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：VS-25TTS12S-M3
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
类型：1个单向可控硅
通态峰值电压(Vtm)：1.25V
保持电流(Ih)：150mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：25A
门极触发电流(Igt)：45mA
门极触发电压(Vgt)：2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：246mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：225MHz，140MHz
功率：290mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BTA10-800BWRG
断态峰值电压(Vdrm)：800V
保持电流(Ih)：50mA
浪涌电流(Itsm)：100A
工作温度：-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms))：10A
门极触发电流(Igt)：50mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：POWER INTEGRATIONS
分类：特殊晶体管
行业应用：其它
包装规格(MPQ)：3psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SP0430T2A0C-FF1500R12IE5
包装方式：Tray
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：254mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"22+"：8000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：晶闸管
行业应用：其它
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：VS-16TTS12-M3
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
通态峰值电压(Vtm)：1.4V
保持电流(Ih)：150mA
浪涌电流(Itsm)：170A
工作温度：-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms))：16A
门极触发电流(Igt)：60mA
包装方式：管件
门极触发电压(Vgt)：2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：310mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"04+"：18000，"06+"：21000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：15@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：40V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：202mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：8@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：246mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：特殊晶体管
行业应用：其它
包装规格(MPQ)：280psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IFCM15P60GDXKMA1
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：
