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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：90@100mA，1V
集电极电流(Ic)：800mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：300MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极电流(Ic)：800mA
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集电极电流(Ic)：800mA
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：90@100mA，1V
集电极电流(Ic)：800mA
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：90@100mA，1V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极电流(Ic)：800mA
输入电阻：2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：90@100mA，1V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极电流(Ic)：800mA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，50mA
功率：200mW
特征频率：300MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：90@100mA，1V
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：470Ω
包装方式：卷带（TR）
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分类：数字晶体管
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集电极电流(Ic)：800mA
输入电阻：2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：90@100mA，1V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集电极电流(Ic)：800mA
输入电阻：2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
功率：200mW
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：90@100mA，1V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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分类：数字晶体管
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集电极电流(Ic)：800mA
输入电阻：2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，50mA
特征频率：300MHz
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：90@100mA，1V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集电极电流(Ic)：800mA
输入电阻：2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：90@100mA，1V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：90@100mA，1V
集电极电流(Ic)：800mA
输入电阻：470Ω
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：300MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：90@100mA，1V
集电极电流(Ic)：800mA
输入电阻：470Ω
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：300MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：90@100mA，1V
集电极电流(Ic)：800mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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功率：200mW
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