销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：800mV@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：800mV@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：800mV@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：800mV@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：800mV@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：800mV@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：800mV@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：800mV@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：800mV@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：800mV@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：800mV@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：1千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：420mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1