销售单位:个
规格型号(MPN):Z0103MA,126
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):7mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):1A
门极触发电流(Igt):5mA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:250Ω
类型:P通道
功率:350mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:1V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:剪切带(CT)
漏源饱和电流:2mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:剪切带(CT)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"08+":6000,"09+":99000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:剪切带(CT)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:338mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:剪切带(CT)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:100mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):S8X5ECS2AP
断态峰值电压(Vdrm):800V
通态峰值电压(Vtm):1.8V
保持电流(Ih):3mA
浪涌电流(Itsm):10A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):500mA
门极触发电流(Igt):50µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:500mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:剪切带(CT)
漏源饱和电流:2mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:30Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:3V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:剪切带(CT)
漏源饱和电流:20mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:500mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:剪切带(CT)
漏源饱和电流:2mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TS110-8A1-AP
断态峰值电压(Vdrm):800V
通态峰值电压(Vtm):1.6V
保持电流(Ih):12mA
浪涌电流(Itsm):20A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1.25A
门极触发电流(Igt):100µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BT169B,126
断态峰值电压(Vdrm):200V
通态峰值电压(Vtm):1.7V
保持电流(Ih):5mA
浪涌电流(Itsm):8A
通态RMS电流(It(rms)):800mA
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"22+":86000,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ACT108-600E,126
断态峰值电压(Vdrm):600V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):25mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):800mA
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):Z0107NA 2AL2
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):10mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1A
门极触发电流(Igt):5mA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"17+":291426,"MI+":2000}
销售单位:个
包装方式:剪切带(CT)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:剪切带(CT)
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):60V
功率:250mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瑞能
分类:晶闸管
行业应用:其它
销售单位:个
规格型号(MPN):ACT108-600E,126
断态峰值电压(Vdrm):600V
保持电流(Ih):25mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:125℃
通态RMS电流(It(rms)):800mA
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:剪切带(CT)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瑞能
分类:晶闸管
行业应用:其它
销售单位:个
规格型号(MPN):BT169D,126
断态峰值电压(Vdrm):400V
通态峰值电压(Vtm):1.7V
保持电流(Ih):5mA
浪涌电流(Itsm):8A
通态RMS电流(It(rms)):800mA
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:剪切带(CT)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):40V
特征频率:200MHz
功率:300mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:剪切带(CT)
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):X0202MA 2BL2
断态峰值电压(Vdrm):600V
通态峰值电压(Vtm):1.45V
保持电流(Ih):5mA
浪涌电流(Itsm):22.5A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1.25A
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存: