销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：79760}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@100µA，1mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@100µA，1mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，5mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.5V@1mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：2985，"05+"：51000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：80000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：162000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，5mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：79997}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@100µA，1mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@100µA，1mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：88776}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1