销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：270mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：300mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：2925，"07+"：174000，"09+"：3000，"16+"：36000，"21+"：27000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：80mV @ 2.5mA，50mA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 50mA，5V

集电极电流(Ic)：600mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：15V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：480mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：339mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：200mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：300mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：480mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：7960，"05+"：4000，"06+"：12000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：187mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：187mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：40000，"18+"：8000，"22+"：8000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA（ICBO）

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：480mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：59600，"04+"：48000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：36000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：1千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：86，"21+"：4000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：187mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：150MHz

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：270mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：270mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：79831，"05+"：104000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：103900}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：480mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1