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    直流增益(hFE@Ic,Vce): 160 @ 5mA,10V
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    onsemi 数字晶体管 NSVB143TPDXV6T1G 起订4007个装
    onsemi 数字晶体管 NSVB143TPDXV6T1G 起订4007个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"08+":16000,"09+":4000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:357mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5115DW1T1G 起订4773个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5115DW1T1G 起订4773个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"03+":12000,"12+":1666}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC114TDXV6T5 起订8013个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC114TDXV6T5 起订8013个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"03+":59600,"04+":48000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC114TPDXV6T1 起订8013个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC114TPDXV6T1 起订8013个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":83930}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5315DW1T1 起订2693个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5315DW1T1 起订2693个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":3000,"05+":9000,"06+":45000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBA114TDXV6T5 起订8013个装
    onsemi 数字晶体管 NSBA114TDXV6T5 起订8013个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"MI+":15999}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5115DW1T1G 起订17个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5115DW1T1G 起订17个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 UMA4NT1 起订5000个装
    onsemi 数字晶体管 UMA4NT1 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":6000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5115DW1T1G 起订17个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5115DW1T1G 起订17个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 UMA4NT1 起订3206个装
    onsemi 数字晶体管 UMA4NT1 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 EMA6DXV5T5G 起订8013个装
    onsemi 数字晶体管 EMA6DXV5T5G 起订8013个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 EMA6DXV5T1 起订8013个装
    onsemi 数字晶体管 EMA6DXV5T1 起订8013个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVB143TPDXV6T1G 起订4007个装
    onsemi 数字晶体管 NSVB143TPDXV6T1G 起订4007个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:357mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Panasonic 数字晶体管 DMC564000R 起订500个装
    Panasonic 数字晶体管 DMC564000R 起订500个装

    品牌:松下(Panasonic)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Panasonic 数字晶体管 DMC564000R 起订100个装
    Panasonic 数字晶体管 DMC564000R 起订100个装

    品牌:松下(Panasonic)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5115DW1T1G 起订11个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5115DW1T1G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBA123TDP6T5G 起订5953个装
    onsemi 数字晶体管 NSBA123TDP6T5G 起订5953个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"12+":133500}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:408mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 UMA4NT1 起订3206个装
    onsemi 数字晶体管 UMA4NT1 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":6000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMUN5116DW1T1G 起订9766个装
    onsemi 数字晶体管 SMUN5116DW1T1G 起订9766个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"15+":12000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:187mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBA114TDXV6T1 起订8013个装
    onsemi 数字晶体管 NSBA114TDXV6T1 起订8013个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":48000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC143TDXV6T1 起订8013个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC143TDXV6T1 起订8013个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":27986}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC115TDP6T5G 起订4274个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC115TDP6T5G 起订4274个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"12+":148000,"16+":144000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:339mW

    晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBA143TDXV6T1 起订8013个装
    onsemi 数字晶体管 NSBA143TDXV6T1 起订8013个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":36000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC115TDP6T5G 起订5000个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC115TDP6T5G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"12+":148000,"16+":144000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:339mW

    晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVB143TPDXV6T1G 起订5000个装
    onsemi 数字晶体管 NSVB143TPDXV6T1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"08+":16000,"09+":4000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:357mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 EMA6DXV5T1G 起订8013个装
    onsemi 数字晶体管 EMA6DXV5T1G 起订8013个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBA123TDP6T5G 起订5953个装
    onsemi 数字晶体管 NSBA123TDP6T5G 起订5953个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:408mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBA114TDXV6T5 起订8013个装
    onsemi 数字晶体管 NSBA114TDXV6T5 起订8013个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMUN5116DW1T1G 起订9766个装
    onsemi 数字晶体管 SMUN5116DW1T1G 起订9766个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:187mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC115TDP6T5G 起订4274个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC115TDP6T5G 起订4274个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:339mW

    晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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