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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"08+"：330000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA / 650mV @ 5mA，100mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V / 220 @ 2mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，65V
功率：230mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"19+"：87000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 140 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.5A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，60V
特征频率：150MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"14+"：2080，"18+"：75000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：72000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA / 650mV @ 5mA，100mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V / 220 @ 2mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，65V
功率：230mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"19+"：87000}
销售单位：个
特征频率：150MHz
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
输入电阻：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 140 @ 1A，2V
包装方式：卷带（TR）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A
ECCN：EAR99
电阻比：4.7千欧
功率：760mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
集电极电流(Ic)：100mA，1.5A
集射极击穿电压(Vceo)：50V，60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
电阻比：4.7千欧
功率：760mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
特征频率：130MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
