销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1