采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：CLA16E1200PN
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
类型：1个单向可控硅
通态峰值电压(Vtm)：1.14V
保持电流(Ih)：60mA
工作温度：-55℃~+150℃
通态RMS电流(It(rms))：16A
门极触发电流(Igt)：30mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：CLA16E1200PN
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
类型：1个单向可控硅
通态峰值电压(Vtm)：1.14V
保持电流(Ih)：60mA
工作温度：-55℃~+150℃
通态RMS电流(It(rms))：16A
门极触发电流(Igt)：30mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
类型：N沟道
ECCN：EAR99
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：3V@1μA
工作温度：-55℃~+150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：鲁光（LGE）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：3V
工作温度：-55℃~+150℃
输出电压(VO(on))：300mV
电阻比：1.2
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：13kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：CLA16E1200PN
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
类型：1个单向可控硅
通态峰值电压(Vtm)：1.14V
保持电流(Ih)：60mA
工作温度：-55℃~+150℃
通态RMS电流(It(rms))：16A
门极触发电流(Igt)：30mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：CLA16E1200PN
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
类型：1个单向可控硅
通态峰值电压(Vtm)：1.14V
保持电流(Ih)：60mA
工作温度：-55℃~+150℃
通态RMS电流(It(rms))：16A
门极触发电流(Igt)：30mA
门极触发电压(Vgt)：1.3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：CLA16E1200PN
通态峰值电压(Vtm)：1.14V
工作温度：-55℃~+150℃
断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV
通态RMS电流(It(rms))：16A
类型：1个单向可控硅
门极触发电压(Vgt)：1.3V
保持电流(Ih)：60mA
门极触发电流(Igt)：30mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：鲁光（LGE）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：3V
工作温度：-55℃~+150℃
输出电压(VO(on))：300mV
电阻比：1.2
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：13kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：350@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：鲁光（LGE）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：3V
工作温度：-55℃~+150℃
输出电压(VO(on))：300mV
电阻比：1.2
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：13kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：350@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：350@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：350@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
类型：N沟道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：3V@1μA
工作温度：-55℃~+150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N沟道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：300mV@10nA
工作温度：-55℃~+150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：200μA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
栅源截止电压：3V@1μA
漏源饱和电流：20mA@15V
栅源击穿电压：35V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：350@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：350@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
