采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"06+"：63771，"08+"：56000，"13+"：104000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：270@10mA，2V€80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：12V€50V
功率：500mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@50mA，5V€100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：270@10mA，2V€68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€12V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
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包装方式：卷带（TR）
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
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功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
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ECCN：EAR99
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晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：270@10mA，2V€68@5mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V€12V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@50mA，5V€100@1mA，5V
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功率：300mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：270@10mA，2V€68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€12V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@50mA，5V€100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@50mA，5V€100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V€30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：12V€50V
功率：120mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：81000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：150@100mA，2V€60@5mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€40V
功率：300mW
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V€30@5mA，5V
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晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V€30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：12V€50V
功率：120mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"06+"：63771，"08+"：56000，"13+"：104000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：270@10mA，2V€80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：12V€50V
功率：500mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V€30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：12V€50V
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销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：270@10mA，2V€68@5mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V€12V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@50mA，5V€100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：270@10mA，2V€68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€12V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
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销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@50mA，5V€100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
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销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：270@10mA，2V€68@5mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V€12V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@50mA，5V€100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@50mA，5V€100@1mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
