生产批次：{"05+"：3000，"08+"：57000，"MI+"：1339}

销售单位：个

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V

集电极电流(Ic)：3A

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：3W

晶体管类型：1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

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输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V

集电极电流(Ic)：3A

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：110MHz

功率：720mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V

集电极电流(Ic)：3A

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集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：110MHz

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A

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ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V

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集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：110MHz

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晶体管类型：PNP-预偏压

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A

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ECCN：EAR99

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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特征频率：260MHz

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晶体管类型：NPN-预偏压

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

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集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

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晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：3000，"08+"：57000，"MI+"：1339}

销售单位：个

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V

集电极电流(Ic)：3A

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：3W

晶体管类型：1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

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特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V

集电极电流(Ic)：3A

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集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：110MHz

功率：720mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A

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集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：110MHz

功率：720mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：550mV@300mA，3A

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V

集电极电流(Ic)：3A

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集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：110MHz

功率：720mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

特征频率：260MHz

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：150mW

集电极电流(Ic)：200mA

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晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

特征频率：260MHz

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

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晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V

集电极电流(Ic)：3A

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：3W

晶体管类型：1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：150mW

包装清单：商品主体 * 1