销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：4.7千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，1.8A

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：130MHz

功率：760mW

晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：4.7千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，1.8A

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：130MHz

功率：760mW

晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：1000，"11+"：2620，"14+"：1000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，3A

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：100MHz

功率：1.5W

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：2080，"18+"：75000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：4.7千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，1.8A

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：130MHz

功率：760mW

晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：3233}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：4.7千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，3A

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：100MHz

功率：1.5W

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：1000，"11+"：990，"12+"：2000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，3A

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：100MHz

功率：1.5W

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：4.7千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，1.8A

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：130MHz

功率：760mW

晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：4.7千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，1.8A

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：130MHz

功率：760mW

晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：72000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 200 @ 1A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，1.8A

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：130MHz

功率：760mW

晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"10+"：1000，"11+"：990，"12+"：2000}

特征频率：100MHz

集电极电流(Ic)：100mA，3A

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

输入电阻：2.2千欧

功率：1.5W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A

晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA，1.8A

电阻比：4.7千欧

功率：760mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

特征频率：130MHz

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"11+"：3233}

特征频率：100MHz

输入电阻：4.7千欧

集电极电流(Ic)：100mA，3A

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V

ECCN：EAR99

电阻比：4.7千欧

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

功率：1.5W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，3A

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：100MHz

功率：1.5W

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，3A

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：100MHz

功率：1.5W

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，3A

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：100MHz

功率：1.5W

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：1000，"11+"：2620，"14+"：1000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，3A

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：100MHz

功率：1.5W

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：3233}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：4.7千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，3A

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：100MHz

功率：1.5W

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：4.7千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，3A

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：100MHz

功率：1.5W

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：1000，"11+"：990，"12+"：2000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，3A

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：100MHz

功率：1.5W

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，3A

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：100MHz

功率：1.5W

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1