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    行业应用: 其它
    功率: 357mW
    当前匹配商品:8
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    onsemi 数字晶体管 NSVB143TPDXV6T1G 起订4007个装
    onsemi 数字晶体管 NSVB143TPDXV6T1G 起订4007个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"08+":16000,"09+":4000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:357mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBA144EDXV6T5G 起订4333个装
    onsemi 数字晶体管 NSBA144EDXV6T5G 起订4333个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"21+":40000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:47千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:357mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVBC143JPDXV6T5G 起订5000个装
    onsemi 数字晶体管 NSVBC143JPDXV6T5G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"21+":88000}

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:357mW

    晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVB143TPDXV6T1G 起订4007个装
    onsemi 数字晶体管 NSVB143TPDXV6T1G 起订4007个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:357mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVB143TPDXV6T1G 起订5000个装
    onsemi 数字晶体管 NSVB143TPDXV6T1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"08+":16000,"09+":4000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:357mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBA144EDXV6T5G 起订5000个装
    onsemi 数字晶体管 NSBA144EDXV6T5G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"21+":40000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:47千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:357mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVB143TPDXV6T1G 起订5000个装
    onsemi 数字晶体管 NSVB143TPDXV6T1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:357mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVBC143JPDXV6T5G 起订2526个装
    onsemi 数字晶体管 NSVBC143JPDXV6T5G 起订2526个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"21+":88000}

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:357mW

    晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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