采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：100mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：4pF@10V
功率：100mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：180mV@1µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：1.2mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：8.2pF@10V
功率：100mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：400mV@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：600µA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：8.2pF@10V
功率：100mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：400mV@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：300µA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：剪切带（CT）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：100mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：8.2pF@10V
功率：100mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：400mV@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：300µA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：8.2pF@10V
功率：100mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：400mV@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：2.6mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz，200MHz
功率：100mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：13pF@10V
功率：100mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：1.5V@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：1.2mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：100mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：8.2pF@10V
功率：100mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：400mV@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：600µA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"15+"：27000，"17+"：150000，"18+"：179500}
销售单位：个
漏源导通电阻：200Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：4pF@10V
功率：100mW
栅源截止电压：180mV@1µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：600µA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：08+
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：100mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置(发射极耦合)
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：100mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"15+"：20999，"17+"：9195}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：4.1pF@5V
功率：100mW
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：150℃
包装方式：袋
漏源饱和电流：100µA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：8.2pF@10V
功率：100mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：400mV@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：2.6mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：100mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：8.2pF@10V
功率：100mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：400mV@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：2.6mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"11+"：45，"14+"：4552703，"16+"：928833，"17+"：265802}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：4.1pF@5V
功率：100mW
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：150℃
包装方式：袋
漏源饱和电流：210µA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"16+"：416000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：3.1pF@2V
功率：100mW
栅源截止电压：100mV@1µA
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：140µA@2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：100mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"14+"：1000000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：3.5pF@2V
功率：100mW
栅源截止电压：200mV@1µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：140µA@2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
