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销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极电流(Ic)：1A
功率：2W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
特征频率：80MHz
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极电流(Ic)：1A
功率：2W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
特征频率：80MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极电流(Ic)：1A
功率：2W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
特征频率：80MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"20+"：25000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
功率：2W
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"20+"：25000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
功率：2W
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"20+"：25000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
功率：2W
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V
集电极电流(Ic)：1A
集射极击穿电压(Vceo)：60V
特征频率：80MHz
功率：2W
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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