品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"18+":75000,"19+":35780,"21+":30000}
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"17+":3555,"20+":4000}
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:2.2kΩ
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
电阻比:1
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:2.2kΩ
最小输入电压(VI(on)):1.6V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.2V@1mA,5V
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
电阻比:1
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: