销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：800mV@1mA，40mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：250@300mA，5V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：800mV@1mA，40mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：250@300mA，5V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：800mV@1mA，40mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：250@300mA，5V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：9000，"09+"：1305000，"14+"：6000，"16+"：21000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：175欧姆，10千欧

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：175欧姆，10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：350mW

晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：800mV@1mA，40mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：250@300mA，5V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：9000，"09+"：1305000，"14+"：6000，"16+"：21000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：175欧姆，10千欧

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：175欧姆，10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：350mW

晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：2990，"04+"：3000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：175欧姆，10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：350mW

晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：175欧姆，10千欧

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：175欧姆，10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：350mW

晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：175欧姆，10千欧

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：175欧姆，10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：350mW

晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：175欧姆，10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：350mW

晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

特征频率：260MHz

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：150mW

集电极电流(Ic)：200mA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

特征频率：260MHz

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：150mW

集电极电流(Ic)：200mA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：250@300mA，5V

输入电阻：47kΩ

集电极电流(Ic)：200mA

功率：250mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：800mV@1mA，40mA

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：250@300mA，5V

输入电阻：47kΩ

集电极电流(Ic)：200mA

功率：250mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：800mV@1mA，40mA

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1