销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@5mA，100mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：12V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：12V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

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集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：30V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

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集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：12V

特征频率：260MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

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特征频率：260MHz

功率：150mW

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@5mA，100mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@5mA，100mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@5mA，100mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@5mA，100mA

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包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@5mA，100mA

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