采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：80Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：16pF@20V
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：1V@1nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：12pF@10V
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：300Ω
类型：P通道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：30V
工作温度：-55℃~135℃
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：250Ω
类型：P通道
功率：350mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：1V@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：80Ω
类型：N通道
输入电容：16pF@20V
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：1V@1nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：7pF@15V
功率：350mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：500mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：1mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：300mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：200µA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：12pF@10V
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：4.5pF@15V
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：900µA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：13pF@20V
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：125Ω
类型：P通道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：30V
工作温度：-55℃~135℃
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：300mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：200µA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
类型：N通道
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：3V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：125Ω
类型：P通道
功率：350mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：3V@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：7mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：300Ω
类型：P通道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：30V
工作温度：-55℃~135℃
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：1kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：1kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
