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品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
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电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
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电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：250mW
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：250mW
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
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电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：250mW
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
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品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
特征频率：150MHz
电阻比：47千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
功率：250mW
输入电阻：10千欧
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：170MHz
功率：250mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
