采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V
特征频率：300MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"05+"：45000，"14+"：15000，"15+"：6000，"16+"：9000，"17+"：15000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V
特征频率：300MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：60000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V
特征频率：300MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：160000，"19+"：3998，"20+"：120000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V
特征频率：280MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V
特征频率：300MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V
特征频率：300MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V
特征频率：300MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V
特征频率：300MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"22+"：67898}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"22+"：15000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：11920}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V
特征频率：300MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"05+"：68000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V
特征频率：300MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：1000，"11+"：990，"12+"：2000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，3A
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：100MHz
功率：1.5W
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V
特征频率：300MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V
特征频率：300MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V
特征频率：300MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：160000，"19+"：3998，"20+"：120000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V
特征频率：280MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：11920}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V
特征频率：300MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V
特征频率：300MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"10+"：1000，"11+"：990，"12+"：2000}
特征频率：100MHz
集电极电流(Ic)：100mA，3A
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
输入电阻：2.2千欧
功率：1.5W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"22+"：67898}
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
功率：500mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，3A
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：100MHz
功率：1.5W
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
