采购热线 400-661-9010
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：8pF@15V
功率：300mW
栅源击穿电压：60V
栅源截止电压：1.5V@1nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：2.5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：225MHz
功率：300mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：2N-通道（双）
ECCN：EAR99
输入电容：10.5pF@5V
功率：300mW
栅源击穿电压：15V
栅源截止电压：300mV@100µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：10mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：散装
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：300mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：300mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：800mV@1mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：700mV@100μA，5V
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：750mV@5mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V
包装方式：卷带（TR）
电阻比：21
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"04+"：2925，"07+"：174000，"09+"：3000，"16+"：36000，"21+"：27000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：80mV @ 2.5mA，50mA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：15V
功率：300mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：171000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V€150@100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA€500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€15V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"21+"：81000，"22+"：81000}
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：800mV@1mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：700mV@100μA，5V
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：1.1V@2mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：800mV@100μA，5V
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：4.9pF@5V
功率：300mW
栅源截止电压：600mV@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：16mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置(发射极耦合)
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：2N-通道（双）
ECCN：EAR99
输入电容：10.5pF@5V
功率：300mW
栅源截止电压：300mV@100µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：16mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：4.9pF@5V
功率：300mW
栅源截止电压：600mV@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：16mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：2N-通道（双）
ECCN：EAR99
输入电容：8pF@15V
功率：300mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：500mV@1nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：500µA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：800mV@1mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：700mV@100μA，5V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：800mV@1mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：700mV@100μA，5V
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：带盒（TB）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：40V
特征频率：250MHz
功率：300mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
