品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz,180MHz
功率:230mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
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输入电阻:4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:200mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
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集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz,180MHz
功率:230mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
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库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:480mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
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输入电阻:4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:480mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"18+":103900}
销售单位:个
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电阻比:47千欧
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输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:480mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
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特征频率:230MHz
功率:200mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
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库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
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电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
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特征频率:230MHz
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库存:
销售单位:个
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功率:230mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:200mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
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功率:300mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
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库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
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集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:480mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
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输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:480mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
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集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:480mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
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集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
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集射极击穿电压(Vceo):50V
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功率:480mW
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库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
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电阻比:47千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:480mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"18+":65000,"9999":4365}
销售单位:个
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"18+":55000,"21+":15000}
销售单位:个
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销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
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电阻比:47千欧
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输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
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库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
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包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:480mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:480mW
晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
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集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:480mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:480mW
晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"24+":30000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz,180MHz
功率:200mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz,180MHz
功率:230mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存: