采购热线 400-661-9010
生产批次：{"09+"：8000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V
特征频率：280MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：160000，"19+"：3998，"20+"：120000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V
特征频率：280MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"19+"：87000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 140 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.5A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，60V
特征频率：150MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V
特征频率：280MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：1000，"11+"：2620，"14+"：1000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，3A
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：100MHz
功率：1.5W
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"14+"：2080，"18+"：75000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"11+"：3233}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，3A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：100MHz
功率：1.5W
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：8000，"12+"：3539，"13+"：4000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V
特征频率：280MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"14+"：3000，"15+"：18000，"16+"：18000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 340mV @ 100mA，1A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，5V / 150 @ 500mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA，700mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，60V
特征频率：185MHz
功率：600mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：1000，"11+"：990，"12+"：2000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，3A
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：100MHz
功率：1.5W
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：160000，"19+"：3998，"20+"：120000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V
特征频率：280MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"09+"：8000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V
特征频率：280MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：8000，"12+"：3539，"13+"：4000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V
特征频率：280MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：72000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"10+"：1000，"11+"：990，"12+"：2000}
特征频率：100MHz
集电极电流(Ic)：100mA，3A
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
输入电阻：2.2千欧
功率：1.5W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"19+"：87000}
销售单位：个
特征频率：150MHz
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
输入电阻：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 140 @ 1A，2V
包装方式：卷带（TR）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A
ECCN：EAR99
电阻比：4.7千欧
功率：760mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
集电极电流(Ic)：100mA，1.5A
集射极击穿电压(Vceo)：50V，60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
电阻比：4.7千欧
功率：760mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
特征频率：130MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"11+"：3233}
特征频率：100MHz
输入电阻：4.7千欧
集电极电流(Ic)：100mA，3A
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V
ECCN：EAR99
电阻比：4.7千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
功率：1.5W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，3A
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：100MHz
功率：1.5W
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V
特征频率：280MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V
特征频率：280MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，3A
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：100MHz
功率：1.5W
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，3A
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：100MHz
功率：1.5W
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：1000，"11+"：2620，"14+"：1000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，3A
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：100MHz
功率：1.5W
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"11+"：3233}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，3A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：100MHz
功率：1.5W
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，3A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：100MHz
功率：1.5W
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
