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品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：190MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"13+"：30000，"18+"：28105，"19+"：60000，"22+"：50000}
销售单位：个
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集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
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集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：190MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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生产批次：{"18+"：14453}
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：190MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
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输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
特征频率：190MHz
集电极电流(Ic)：100mA
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
特征频率：190MHz
集电极电流(Ic)：100mA
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
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