生产批次：{"06+"：12000，"11+"：188000，"14+"：100000，"16+"：100000}

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，10V€80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：200mA€100mA

集射极击穿电压(Vceo)：40V€50V

功率：500mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，10V€80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：200mA€100mA

集射极击穿电压(Vceo)：40V€50V

功率：500mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：12000，"11+"：188000，"14+"：100000，"16+"：100000}

销售单位：个

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ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，10V€80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：200mA€100mA

集射极击穿电压(Vceo)：40V€50V

功率：500mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP

包装清单：商品主体 * 1