品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
集电极电流(Ic):50mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):40V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:1kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
集电极电流(Ic):50mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:180MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV @ 500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):60 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz,180MHz
功率:200mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):50mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):30mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"21+":54000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:150MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):20@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV @ 500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:4.7千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz,180MHz
功率:200mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):20@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):50mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):50mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存: