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销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1A，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1A，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1A，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1A，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1A，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1A，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1A，5V
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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晶体管类型：2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
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