销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：200mV@1mA，10mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@20mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：200mV@1mA，10mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@20mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：200mV@1mA，10mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@20mA，10V

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输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：200mV@1mA，10mA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

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输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：200mV@1mA，10mA

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晶体管类型：NPN-预偏压

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