销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
特征频率:225MHz,140MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
功率:290mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
电阻比:10千欧
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
特征频率:225MHz,140MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
功率:290mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):500mA
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
电阻比:10千欧
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存: