品牌:MCC
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:MCC
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:MCC
分类:数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:MCC
分类:数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:MCC
分类:数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
包装清单:商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
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集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
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集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
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集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
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集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
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包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
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集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
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直流增益(hFE@Ic,Vce):68 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
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集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
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集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
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集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
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集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
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集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
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集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
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品牌:ON SEMI
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集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:22千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
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品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
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直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
电阻比:22千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:MCC
分类:数字晶体管
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集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
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功率:150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA
输入电阻:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):68 @ 5mA,5V
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
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输入电阻:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):68 @ 5mA,5V
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
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输入电阻:47千欧
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直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
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集电集截止电流(Icbo):500nA
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电阻比:22千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2 NPN - 预偏置
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