生产批次：{"07+"：323}

销售单位：个

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：25120}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：3000，"10+"：18000，"12+"：17750，"14+"：6000，"15+"：12000，"9999"：1926}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"09+"：53500}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"09+"：6000，"10+"：9000，"11+"：6000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：6000}

销售单位：个

漏源导通电阻：30Ω

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：6pF@10V

功率：400mW

栅源击穿电压：40V

栅源截止电压：10V@1µA

工作温度：150℃

包装方式：带盒（TB）

漏源饱和电流：20mA@15V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"09+"：8000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V

特征频率：280MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：7，"07+"：228}

销售单位：个

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：6000}

销售单位：个

漏源导通电阻：30Ω

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：6pF@10V

功率：400mW

栅源击穿电压：40V

栅源截止电压：10V@1µA

工作温度：150℃

包装方式：带盒（TB）

漏源饱和电流：20mA@15V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"09+"：53500}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BTA202X-800D，127

断态峰值电压(Vdrm)：800V

类型：晶闸管

保持电流(Ih)：5mA

浪涌电流(Itsm)：15.4A

工作温度：-40℃~+125℃

通态RMS电流(It(rms))：2A

门极触发电流(Igt)：5mA

门极触发电压(Vgt)：700mV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BTA202X-800D，127

断态峰值电压(Vdrm)：800V

类型：晶闸管

保持电流(Ih)：5mA

浪涌电流(Itsm)：15.4A

工作温度：-40℃~+125℃

通态RMS电流(It(rms))：2A

门极触发电流(Igt)：5mA

门极触发电压(Vgt)：700mV

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：2000，"13+"：4268，"15+"：6000}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BTA204-800C，127

断态峰值电压(Vdrm)：800V

类型：晶闸管

ECCN：EAR99

保持电流(Ih)：20mA

浪涌电流(Itsm)：27A

工作温度：+125℃

通态RMS电流(It(rms))：4A

门极触发电流(Igt)：35mA

门极触发电压(Vgt)：0.7V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

漏源导通电阻：30Ω

类型：N通道

输入电容：6pF@10V

功率：400mW

栅源击穿电压：40V

栅源截止电压：10V@1µA

工作温度：150℃

包装方式：带盒（TB）

漏源饱和电流：20mA@15V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V

特征频率：280MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：26}

销售单位：个

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：3000，"13+"：6000，"15+"：87437}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：7，"07+"：228}

销售单位：个

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"09+"：3124，"10+"：19543，"13+"：696，"14+"：57000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：24000，"15+"：143060，"9999"：2888}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：1000，"11+"：2620，"14+"：1000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，3A

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：100MHz

功率：1.5W

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：518，"12+"：27000，"14+"：24000，"16+"：4500}

销售单位：个

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"09+"：4603，"15+"：63499}

销售单位：个

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：12000}

销售单位：个

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：30000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：24000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：34500，"9999"：599}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1