采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"20+"：103740，"22+"：0}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：1.7pF@10V
功率：125mW
栅源截止电压：1.5V@1µA
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：60µA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：1.7pF@10V
功率：125mW
栅源截止电压：1.5V@1µA
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：60µA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：125mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：80MHz
功率：125mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz，80MHz
功率：125mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：125mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz，80MHz
功率：125mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：80MHz
功率：125mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：125mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：125mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz，80MHz
功率：125mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：125mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"20+"：103740，"22+"：0}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：1.7pF@10V
功率：125mW
栅源截止电压：1.5V@1µA
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：60µA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：125mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：80MHz
功率：125mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：125mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz，80MHz
功率：125mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：80mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：125mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz，80MHz
功率：125mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz，80MHz
功率：125mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：125mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：80MHz
功率：125mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz，80MHz
功率：125mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：125mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz，80MHz
功率：125mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：80MHz
功率：125mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz，80MHz
功率：125mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：125mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：80MHz
功率：125mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：125mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
